BSC882N03MS G

产品描述

MOSFET N-KANAL POWER MOS

内部编号

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数量:10000

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规格书	BSC882N03MS G
Rohs	Lead free / RoHS Compliant
标准包装	5,000
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	34V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	100A
Rds（最大）@ ID，VGS	2.6 mOhm @ 30A, 10V
VGS（TH）（最大）@ Id	2V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	55nC @ 10V
输入电容（Ciss）@ Vds的	4300pF @ 15V
功率 - 最大	69W
安装类型	Surface Mount
包/盒	8-PowerTDFN
供应商器件封装	PG-TDSON-8
包装材料	Tape & Reel (TR)
产品种类	MOSFET
RoHS	RoHS Compliant
晶体管极性	N-Channel
漏源击穿电压	30 V
源极击穿电压	+/- 20 V
连续漏极电流	22 A
抗漏源极RDS （ ON）	0.0026 Ohms
配置	Single Quad Drain Triple Source
最高工作温度	+ 150 C
安装风格	SMD/SMT
封装/外壳	TDSON-8
封装	Reel
下降时间	9.4 ns
最低工作温度	- 55 C
功率耗散	2.5 W
上升时间	9 ns
工厂包装数量	5000
典型关闭延迟时间	24 ns
零件号别名	BSC882N03MSGATMA1 BSC882N03MSGXT SP000507406
FET特点	Logic Level Gate
安装类型	Surface Mount
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	100A
的Vgs（th ）（最大）@ Id	2V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	34V
供应商设备封装	PG-TDSON-8
开态Rds（最大）@ Id ，V GS	2.6 mOhm @ 30A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大	69W
标准包装	5,000
输入电容（Ciss ） @ VDS	4300pF @ 15V
闸电荷（Qg ） @ VGS	55nC @ 10V
封装/外壳	8-PowerTDFN
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
其他名称	BSC882N03MS GCT
系列	BSC882N03
RDS（ON）	2.6 mOhms

型号	厂家	产品描述
BSC882N03MSGATMA1	Infineon Technologies AG	Trans MOSFET N-CH 30V 22A 8-Pin TDSON EP T/R
BSC882N03LS G	Infineon Technologies	MOSFET N-KANAL POWER MOS
BSC882N03LSG	infineon technologies	SP000686916_N-KANPOWM_TR_RO

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